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瀾起科技榮獲上海市技術發明一等獎

2019年5月15日,上海市2018年度科學技術獎勵大會隆重召開,上海市委書記李強出席會議并作重要講話,市委副書記、市長應勇主持會議。會上,副市長吳清宣讀了《上海市人民政府關于表彰2018年度上海市科學技術獎獲獎項目(個人)的決定》,共授獎300項。

瀾起科技作為獨立完成單位,其“高性能DDR內存緩沖控制器芯片設計技術”榮獲上海市技術發明獎一等獎。本年度技術發明獎共評選出30項,其中一等獎9項,該獎項旨在“對標國際最高標準、最好水平,瞄準全球技術新發明”,在關鍵領域重大課題方面選拔和鼓勵一批優秀的創新成果,表彰其在基礎研究和發明創造、科技創新等方面作出的突出貢獻。

瀾起科技董事長兼首席執行官楊崇和博士(前排右數第五位上臺領獎     (圖片來源:上海科技網)

上海市技術發明獎一等獎獲獎證書

在該獲獎研發項目中,楊崇和博士帶領研發團隊攻克了內存接口技術瓶頸,通過系統架構設計、高速電路設計、低功耗設計等基于自主知識產權的技術發明,為CPU與內存間的數據交換搭建了一條“高速公路”,提高了內存數據讀寫帶寬,改善了服務器性能,為全球高端服務器內存接口領域做出突出貢獻。

由該團隊發明的“1+9”分布式緩沖內存子系統框架,突破了DDR2、DDR3的集中式架構設計,創新地采用1顆寄存緩沖控制器芯片為核心、9顆數據緩沖器芯片的分布結構布局,大幅減少了CPU與DRAM 顆粒間的負載,降低了信號傳輸損耗,解決了內存子系統大容量與高速度之間的矛盾。“1+9”架構已被JEDEC采納為國際標準,成為DDR4 LRDIMM的標準設計,在全球各大數據中心得到廣泛應用,凸顯了公司的技術水平及創新能力,也提升了我國在內存接口領域的國際話語權。該項目共獲得發明專利40項,其中國外發明專利23項、中國國內發明專利17項。

DDR4全緩沖“1+9”架構被JEDEC(全球微電子產業的領導標準機構)采納為國際標準

瀾起科技從成立至今,十五年來一直從事內存接口芯片的設計研發,先后推出了DDR2高級內存緩沖器、DDR3寄存緩沖器及內存緩沖器、DDR4寄存時鐘驅動器及數據緩沖器等一系列內存接口芯片。憑借長期的技術積累和持續的研發創新,公司在DDR4時代確立了行業領先優勢,成為全球可提供從DDR2到DDR4內存全緩沖/半緩沖完整解決方案的主要供應商之一,上述DDR系列內存接口芯片已成功進入國際主流內存、服務器和云計算領域,并占據全球市場的主要份額。

未來,公司將繼續專注于集成電路設計領域的科技創新,圍繞云計算及人工智能領域,不斷滿足客戶對高性能芯片的需求,在持續積累中實現企業的跨越式發展,為我國集成電路產業發展做出貢獻。

關于瀾起科技

作為業界領先的集成電路設計公司之一,瀾起科技致力于為云計算和人工智能領域提供高性能芯片解決方案。公司在內存接口芯片市場深耕十余年,先后推出了 DDR2、DDR3、DDR4系列高速、大容量內存緩沖解決方案,以滿足云計算數據中心對數據速率和容量日益增長的需求。瀾起科技發明的DDR4 全緩沖“1+9”架構被 JEDEC采納為國際標準,其相關產品已成功進入全球主流內存、服務器和云計算領域,占據國際市場的主要份額。

2016年以來,瀾起科技與清華大學、英特爾鼎力合作,研發出津逮?系列服務器CPU。基于津逮?CPU及瀾起科技的安全內存模組而搭建的津逮?服務器平臺,實現了芯片級實時安全監控功能,為云計算數據中心提供更為安全、可靠的運算平臺。此平臺還融合了先進的異構計算與互聯技術,可為大數據及人工智能時代的各種應用提供強大的綜合數據處理及計算力支撐。

瀾起科技成立于2004年,總部設在上海并在昆山、澳門、美國硅谷和韓國首爾設有分支機構。

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