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M88DDR4DB01 - Gen1 DDR4 數據緩沖器(DB)芯片

M88DDR4DB01 是一款帶差分選通信號的雙 4 位雙向 Gen1 DDR4 數據緩沖器芯片,符合 JEDEC DDR4DB01 標準,最高支持速率 DDR4-2400,支持 1.2V VDD 電壓。該芯片內置一個雙 4 位總線接口,用以連接內存控制器;一個雙 4 位 DRAM 接口,可連接兩個 4 位 DRAM 芯片;以及一個輸入控制總線接口,用以連接 DDR4 寄存緩沖器(RCD)芯片。

M88DDR4DB01 的所有數據輸入均采用偽差分模式,內置電壓參考電路。而芯片的所有數據輸出腳均端接上拉電源(VDD),經優化可驅動 DDR4 LRDIMM 板上單端或雙端終接負載的數據線路。此外,用于采樣數據輸入的差分數據控制信號(DQS)可在芯片內部重新生成,以驅動與芯片相連的內存芯片的數據輸出。

M88DDR4DB01 的輸入控制信號 BCOM[3:0]、BCKE 和 BODT 由一對時鐘輸入 CK_t 與 BCK_c 進行采樣。同時,該芯片還提供專用的 ZQ 校準引腳以及奇偶校驗和順序錯誤指示引腳。


功能特點典型應用

符合 JEDEC DDR4DB01 標準

最高支持速率 DDR4-2400

支持 DDR4 數據 (DQ) 信號雙向重定時和 1: 1 再驅動

支持通過輸入時鐘重新生成數據控制 (DQS) 信號

DQ 通路內置 FIFO,支持總線接口時域和 DRAM 接口時域解耦

支持最多四個 pakcage rank

總線接口支持 package rank 定時校準

僅支持 4 位 DRAM

內部生成 VrefDQ,并可對總線接口和 DRAM 接口分開控制

支持 1.2V VDD 電壓

BCOM 接口支持奇偶校驗錯誤和順序錯誤檢測

DQ/MDQ 輸入輸出特性可通過控制寄存器配置

輸入時鐘至輸出 DQ/MDQ 的傳輸延遲恒定,不隨電壓和溫度變化

支持 Ron 和 IBT 值的 ZQ 校準

支持同步 ODT 模式,包括 RTT_PARK(以及 RTT_NOM 和 RTT_WR)

支持多種 DQ 校準模式

支持 PDA 尋址 (Per-DRAM Addressability)

對于 BCW 寫命令,支持 PBA 尋址 (Per-Buffer Addressability)

可編程 Write 和 Read Preamble Time(1tCK 模式和 2tCK 模式)

總線接口支持 Read Preamble 訓練功能

支持 BCW 讀入模式和 MPR 讀入覆蓋模式

無復位引腳,芯片可在 BCK_t 和 BCK_c 都置低且 BCKE 置高時進入復位狀態

輸入時鐘頻率可變,支持雙頻環境切換

支持多種節電模式,如 CKE 低功耗模式、CK STOP 模式等

支持 Memory Bist 和透明模式

綠色封裝: FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)

DDR4 LRDIMM


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