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M88MB6000 - DDR3 內存緩沖器(MB)芯片

M88MB6000 是一款應用于 DDR3 減載雙列直插內存組(LRDIMM)的內存緩沖器芯片。該芯片通過緩沖內存通道的命令、地址、控制、時鐘以及數據信號,來減低內存控制器的負載和改善信號完整性,從而增加內存系統的支持容量和帶寬。

M88MB6000 符合 JEDEC DDR3 內存緩沖器標準。它最高支持速率 DDR3-1866,支持單條容量高達 64GB 的 LRDIMM 內存模組,使服務器的單機內存容量可提升到最高 1536GB。


功能特點典型應用

符合JEDEC DDR3內存緩沖器標準

最高支持速率DDR3-1866

寄存和重新驅動命令、地址和部分控制信號,并提供兩份輸出

雙向重定時和重新驅動DDR3數據(DQ)信號

利用輸入時鐘重新生成數據選通信號(DQS)

生成時鐘信號給內存芯片,其相位相對于輸入時鐘和重驅動的命令、地址和控制信號穩定,不隨工藝、電壓和溫度變化

最高可支持8個物理rank

支持x4和x8 DRAM芯片

可通過SMBus讀/寫控制寄存器

內置溫度傳感器,可通過SMBus訪問

可提供參考電壓源給DRAM芯片

支持個性化字節(personality bytes)

超低功耗

支持1.5V, 1.35V或1.25V的VDD電壓

588-ball FBGA綠色封裝

命令和地址處理

支持控制字寫程序
支持對命令和地址(CA)信號的奇偶校驗
支持CA信號的輸入總線端接(IBT)
支持CKE功耗管理和時鐘停止節省功耗模式
支持雙頻切換
支持軟CKE模式
支持刷新交錯
重新生成ODT信號給DRAM接口
支持列倍乘模式
支持地址/命令/控制信號的提前發送和延遲發送模式
提供4個獨立的CKE信號給DRAM芯片
提供8個獨立的片選信號(CS)給DRAM芯片
支持正常模式(300-1066MHz)和測試模式(70-300MHz)頻率
DRAM接口的驅動特性可編程配置
支持CA信號弱驅動模式以節省功耗
支持DRAM地址反轉和MRS 3T定時模式

數據處理

雙向的數據和數據選通DRAM內存接口
雙向的數據和數據選通內存控制器接口
72個數據信號,18對差分數據選通信號
內置FIFO,以實現控制器和內存接口的時間域轉換
控制器接口支持兩種定時模式:最小時延和最小歪斜
控制器接口I/O支持標準的DDR3 DRAM規范
優化、低功耗的DRAM I/O接口設計
支持控制器接口寫對平(write leveling)
片上校準引擎,可校準DRAM接口的讀/寫數據對平和DQ/DQS時序

DFx特性

透明模式
存儲器內建自測(MemBIST)
電壓裕量測試
錯誤插入

高性能DDR3服務器

工作站  

網絡設備  

存儲系統  

高端桌面計算機

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